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TiN-Masken für 10 nm
22. Mai 2015 Von Thomas Scherer

TiN-Masken für 10 nm

Applied Materials hat mit dem Applied Endura Cirrus HTX PVD System einen Durchbruch bei Kupfer-Interconnects bei einer Strukturbreite von 10 nm erreicht. Für weitere Fortschritte bei kleineren Strukturen in der Chip-Fertigung sind auch Innovationen bei der Hardmask für die Interconnects erforderlich.