Kleinster 3D-Transistor mit neuer Ätztechnik: 2,5 nm!

Forscher des MIT und der University of Colorado präsentieren einen 3D-Transistor, der weniger als halb so groß ist wie die kleinsten heutigen Typen. Basis ist eine neuartige Mikrofertigungstechnik, die Halbleiter atomweise modifiziert.

Einer Kooperation von IBM, Samsung und GlobalFoundries gelang der weltweit erste Chip in 5-nm-Technik. Der 5-nm-IBM-Chip ist gleichzeitig einer der ersten ICs auf der Basis von GAA-Transistoren (Gate-All-Around) und außerdem wohl die erste ernsthafte Anwendung von EUV-Lithografie (Extreme UltraViolet) überhaupt.

Samsung hat als erster Halbleiterhersteller die Massenproduktion von SoCs gestartet, die auf einen FinFET setzen, dessen Strukturbreite nur 10 nm beträgt.

AMD und Globalfoundries konnten erfolgreich die ersten Chips in 14nm-Technologie fertigen. Die ersten Produktionsmuster in der 14nm-Low-Power-Plus-Prozedur (14LPP) werden zurzeit getestet. Die Prozedur gebraucht dreidimensionale Verarmungs-FinFETs, um mehr Rechenkraft pro Fläche zu erreichen. Durch die kleineren Strukturen wird die Leistungsfähigkeit enorm verbessert und die Verlustleistung pro Fläche im Vergleich zur 28- oder 20nm-Technologie gravierend reduziert.