Geringere Verluste mit 650-V-Siliziumcarbid-FETs
UnitedSiC hat einen direkten Drop-In-Ersatz für Silizium-Superjunction-MOSFETs in Form einer neuen Serie von 650-V-SiC-FETs (Siliziumkarbid) vorgestellt. Die auf der APEC 2018 (Applied Power Electronics Conference) angekündigten Bauteile arbeiten mit einer Standard-Si-MOSFET-Gate-Ansteuerung, wodurch bei unveränderter Treiberschaltung ein niedrigerer RDS(on) und eine niedrige Gate-Ladung erreicht wird, was Systemverluste reduziert.