Das Potential von NC-FETs

Forscher der Purdue University haben sich die Forschung zu negativen kapazitiven Feldeffekttransistoren (NC-FETs) angeschaut und ihre Schlussfolgerungen veröffentlicht.

UnitedSiC hat einen direkten Drop-In-Ersatz für Silizium-Superjunction-MOSFETs in Form einer neuen Serie von 650-V-SiC-FETs (Siliziumkarbid) vorgestellt. Die auf der APEC 2018 (Applied Power Electronics Conference) angekündigten Bauteile arbeiten mit einer Standard-Si-MOSFET-Gate-Ansteuerung, wodurch bei unveränderter Treiberschaltung ein niedrigerer RDS(on) und eine niedrige Gate-Ladung erreicht wird, was Systemverluste reduziert.

Forscher der Purdue University konnten experimentell zeigen, wie ein Effekt namens „negative Kapazität“ einen neuen Transistor-Typ energiesparender macht. Damit wurde eine schon 2008 von einem Team der Purdue University aufgestellte Theorie in der Praxis bestätigt.

Einer Kooperation von IBM, Samsung und GlobalFoundries gelang der weltweit erste Chip in 5-nm-Technik. Der 5-nm-IBM-Chip ist gleichzeitig einer der ersten ICs auf der Basis von GAA-Transistoren (Gate-All-Around) und außerdem wohl die erste ernsthafte Anwendung von EUV-Lithografie (Extreme UltraViolet) überhaupt.

Unwahrscheinlich, aber vielleicht kennen Sie doch Wolfman Jack als Radio-DJ aus den 70ern oder Wolfmother als akzeptable Led-Zeppelin-Imitation und als Elektroniker möglicherweise Wolfson Microelectronics (jetzt Cirrus Logic) als Spezialist für Digital-Audio. Neuerdings macht Wolfspeed (eine Marke von Cree) als Hersteller von SiC-FETs (Silicon-Carbide) mit sehr hohen Sperrspannungen bis 1,2 kV von sich reden.

Texas Instruments stellt einen Prototypen eines integrierten Leistungsmoduls vor, das bei Nennwerten von 80 V / 10 A / 18 mΩ mit GaN-Power-FETs arbeitet. Das GaN-FET-Modul besteht aus einen Hochfrequenztreiber und zwei GaN-FETs in Halbbrücken-Konfiguration, die in einem QFN...

Forscher des amerikanischen AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) konnten die Funktion eines Tunnel-FETs mit einer neuen Architektur demonstrieren.Ein Tunnel-FET ist ein Feldeffekt-Transistor, der anders als konventionelle MOSFETs auf dem Tunneln von Elektronen ...

Die Schaltung ist ein gutes Beispiel dafür, daß man auch ohne die allerneusten Bauelemente interessante und brauchbare Anwendungen realisieren kann. In diesem simplen Bißchen Elektronik findet man als aktive Komponenten zwei alte Bekannte, nämlich einen FET vom Typ BF256C und den nicht minder gängigen HF-Transistor BF494. Sparsam angereichert mit einigen Widerständen und Kondensatoren bildet das Transistorpärchen einen gut arbeitenden Antennenverstärker.

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Wie man einen bipolaren Transistor mit einem Ohm-Meter mal eben durchmessen kann, ist hinlänglich bekannt. Der schnelle Funktionstest eines Feldeffekt-Transistors ist damit allerdings nicht ohne weiteres möglich. Besser ist da schon ein FET-Tester, der auf die speziellen Eigenschaften der FETs ausgerichtet ist.