Halbbrücken-Modul mit Galliumnitrid-Power-FETs

9. April 2015, 09:42 Uhr
Halbbrücken-Modul mit Galliumnitrid-Power-FETs
Halbbrücken-Modul mit Galliumnitrid-Power-FETs

Texas Instruments stellt einen Prototypen eines integrierten Leistungsmoduls vor, das bei Nennwerten von 80 V / 10 A / 18 mΩ mit GaN-Power-FETs arbeitet. Das GaN-FET-Modul besteht aus einen Hochfrequenztreiber und zwei GaN-FETs in Halbbrücken-Konfiguration, die in einem QFN-Gehäuse untergebracht sind und so einfach erste Erfahrungen mit der GaN-Leistungstechnik ermöglichen.

Laut TI ist das GaN-Power-FET-Modul LMG5200 ein Leistungshalbleiter der nächsten Generation, der dank hoher Taktraten besonders effiziente und kleine Spannungswandler ermöglicht. Das Modul befreit nämlich auch von einer weiteren Problematik, da dank integrierter Ansteuerung die Schwierigkeiten der Ansteuerung von GaN-FETs und parasitäre Effekte vermieden werden. TI verfolgt dabei die Strategie, möglichst komplette, höher integrierte Lösungen zur Verfügung zu stellen, die zuverlässige Schaltregler trotz hoher Betriebsfrequenzen erleichtern.

Die Leistungsstufe LMG5200 hilft dabei, Störsignale und HF-Abstrahlungen in Grenzen zu halten. Dabei wird durch die Vermeidung parasitärerer Induktivitäten dank der Integration der Treiberstufe in die Leistungshalbleiter auch bei hohen Frequenzen ein hoher Wirkungsgrad möglich. Das mit normalen Logikpegeln ansteuerbare Modul LMG5200 basiert auf modernster Multichip-Gehäusetechnik und eignet sich optimal für Leistungsanwendungen mit Schaltgeschwindigkeiten von bis zu 5 MHz.

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