SiC-MOSFET mit 1,2 kV und vier Pins

25. April 2017, 14:02 Uhr
SiC-MOSFET Wolfspeed C3M0075120K. Bild: Wolfspeed
SiC-MOSFET Wolfspeed C3M0075120K. Bild: Wolfspeed
Unwahrscheinlich, aber vielleicht kennen Sie doch Wolfman Jack als Radio-DJ aus den 70ern oder Wolfmother als akzeptable Led-Zeppelin-Imitation und als Elektroniker möglicherweise Wolfson Microelectronics (jetzt Cirrus Logic) als Spezialist für Digital-Audio. Neuerdings macht Wolfspeed (eine Marke von Cree) als Hersteller von SiC-FETs (Silicon-Carbide) mit sehr hohen Sperrspannungen bis 1,2 kV von sich reden.

Der Typ Wolfspeed C3M0075120K des Distributors RichardsonRFPD wird in einem TO-247-Gehäuse hergestellt, und die Extension -4 weist auf vier Anschlüsse hin. Der vierte Pin ist ein separater Source-Anschluss für den Treiber. Aufgrund der hohen Spannung ist Drain 0,2“ vom nächsten Pin entfernt. Die parasitäre Diode soll besonders schnell sein. Der FET ist für Energiewandlungen z. B. in Elektroautos oder für Schaltwandler und Schaltnetzteilen gedacht.

Technische Daten:
  • UDS = 1,2 kV
  • ID = 30,8 A bei 25 °C
  • Rds(on) =75 mΩ
  • Qg = 51 nC
  • Sperrschichttemperatur = 150 °C
  • Coss = 58 pF
  • Qrr = 220 nC
  • Trr = 18 ns
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