Geringere Verluste mit 650-V-Siliziumcarbid-FETs

12. März 2018, 14:22 Uhr
Bild: UnitedSiC
Bild: UnitedSiC
UnitedSiC hat einen direkten Drop-In-Ersatz für Silizium-Superjunction-MOSFETs in Form einer neuen Serie von 650-V-SiC-FETs (Siliziumkarbid) vorgestellt. Die auf der APEC 2018 (Applied Power Electronics Conference) angekündigten Bauteile arbeiten mit einer Standard-Si-MOSFET-Gate-Ansteuerung, wodurch bei unveränderter Treiberschaltung ein niedrigerer RDS(on) und eine niedrige Gate-Ladung erreicht wird, was Systemverluste reduziert.

Die neuen FETs sind z. B. zur Leistungsfaktorkorrektur und bei DC/DC-Wandlern sowohl in hart geschalteten als auch in ZVS-geschalteten Systemen bei Ladegeräten für Elektrofahrzeuge, Stromversorgungen, Motorantriebe und Wechselrichter für erneuerbare Energien gedacht.
   
Die UJ3C-Serie bietet einen maximalen Drain-Nennstrom von 31 bis 85 A mit einem RDS(on) von nur 27 mΩ. Darüber hinaus eliminiert die integrierte Diode dank niedrigem Qrr die Notwendigkeit einer extra antiparallelen Diode. Die FETs können mit Frequenzen bis zu 500 kHz schalten, was Größe und Kosten anderer Systemkomponenten wie voluminösen Induktivitäten, Kondensatoren und von Bauteilen für das thermische Management reduziert. Weitere Informationen finden sich hier.
 
Leider sind die neuen FETs der Serie UJ3C065080T3S mit Preisen ab 7,69 $ in 1000er-Einheiten relativ teuer. Man muss sich die höhere Effizienz also de facto erkaufen.
 
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