Germanium: Totgesagte leben länger

17. Dezember 2015, 18:56 Uhr
Germanium: Totgesagte leben länger
Germanium: Totgesagte leben länger
manchen alten Germanium-Transistoren wachsen, wie ich das vor einigen Jahren in meinem Artikel „Das (gelöste) Rätsel des OC171“ beschrieben hatte.
 
Eigentlich ist Germanium seiner Alternative Silizium als Halbleitermaterial klar überlegen, meint Dr. Jay A. Switzer, Professor an der Donald L. Castleman/Foundation für Chemie an an der Missouri S&T. Germanium wurde früher in den ersten Transistoren eingesetzt. Seine Verarbeitung ist teurer und hat sich daher nicht allgemein durchgesetzt.
 
Switzer und sein Team haben nun Fortschritte dabei erzielt, andere Materialien im Nanometer-Maßstab durch Elektrodeposition zu verarbeiten. Switzer vergleich dies mit dem Wachsenlassen von Zuckerkristallen an einer Schnur. Schon 2009 berichtete Switzer und sein Team, dass es ihnen gelungen wäre, Nanospeere aus Zinnoxid auf einem Einkristall-Silizium-Wafer in einer mit Zinn-Ionen gesättigten Alkalilösung aufwachsen zu lassen. Die Speere waren dabei 100 mal dünner als ein menschliches Haar.
 
Das Aufwachsen von Germanium im Nano-Maßstab ist allerding schwierig. Elektrodeposition ist daher die adäquate Lösung, da sich das Verfahren mit der gesättigten Lösung hier nicht anwenden ließ.
Das Team realisierte den ec-LLS-Prozess durch elektrochemische Reduktion von ITO (Indium-Zinnoxid) zur Produktion von Indium-Nanopartikeln in einer Lösung, die Germaniumoxid oder Ge(IV) enthielt. Die Indium-Nanopartikeln agieren im Kontakt mit ITO als Elektroden für die Reduktion von Ge(IV) und lösen außerdem das reduzierte Germanium in Partikel auf. Aus diesen Nanopartikeln kristallisieren dann die erwünschten Nanodrähte aus.
 
Da muss ich doch glatt einmal nachsehen, ob die antiken Germaniumtransistoren in den Untiefen meiner Elektroniksammlung noch für etwas gut sind...
 
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