Biegsamer Transistor
über
Transistoren stellen die Grundlage fast aller modernen Elektronik dar. Das Team der UW-Madison hat den schon 20 Jahre alten Industriestandard des BiCMOS-Dünnfilm-Transistors (Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor) verwendet, der verschiedene wichtige Eigenschaften wie Geschwindigkeit, Hochstromfähigkeit und geringe Verluste in sich vereint. Der neue Transistor weist exakt diese Eigenschaften auf und ist dabei noch äußerst flexibel.
Die Fertigung von traditioneller BiCMOS-Elektronik vollzieht sich in einer großen Anzahl recht heikler Produktionsschritte bei hohen Temperaturen, wobei stets die Gefahr besteht, dass selbst kleine Temperaturabweichungen irgendwo im Prozess das Ergebnis vorheriger Schritte zunichtemachen.
Das Team unter der Leitung von Zhenqiang Ma hat den flexiblen Transistor dagegen auf einer monokristallinen Silizium-Nanomembran auf einem biegsamen Stück Kunststoff aufgebaut, mit Hilfe eines einzigartigen Prozesses, der viele der vorher heiklen Produktionsschritte überflüssig macht und so den Produktionspreis und die Produktionszeit erheblich verringert.

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