AdvertisementSiC-FETs basieren auf einer einzigartigen Kaskoden-Konfiguration und sind für den Einsatz in Soft-Switching-Designs optimiert.

Die UJ3C SiC-FETs sind ideal für die Aufrüstung eines bestehenden Silizium-basierten Bauelements oder den Beginn eines neuen SiC-basierten Designs. Sie kombinieren einen SiC-JFET mit einem eigens entwickelten Si-MOSFET, um eine optimale Kombination aus normalerweise ausgeschaltetem Betrieb, einer Hochleistungs-Body-Diode und einer einfachen Gate-Ansteuerung des MOSFET zu erreichen. Alles mit der Effizienz, Geschwindigkeit und Hochtemperaturbeständigkeit des SiC-JFETs. Als Ergebnis können bestehende Systeme eine Leistungssteigerung mit geringeren Leitungs- und Schaltverlusten, verbesserten thermischen Eigenschaften und integriertem Gate-ESD-Schutz erwarten.
 
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In neuen Designs liefern die UJ3C-FETs erhöhte Schaltfrequenzen, um erhebliche Systemvorteile zu erzielen, sowohl in Bezug auf den Wirkungsgrad als auch auf die Reduzierung der Größe und der Kosten von passiven Bauelementen, wie Magneten und Kondensatoren.

Die UJ3C SiC-FETs von UnitedSiC/Qorvo werden in den Industriestandard-Gehäusen D2PAK-3L, TO-220-3L und TO-247-3L angeboten. Die meisten dieser Bauelemente sind gemäß AEC-Q101 für den Einsatz in Automotive-Applikationen qualifiziert.

Merkmale

  • Verfügbare Optionen: 650 V und 1.200 V
  • Typischer Drain-Source-Widerstand von 27 mΩ bis 150 mΩ (RDS(on))
  • Maximaler kontinuierlicher Ableitstrom von 18,4 A bis 65 A (ID)
  • Hervorragende Leistung der Body-Diode (Vf<2V)
  • Mit beliebiger Si- und/oder SiC-Gate-Treiberspannung ansteuerbar
  • Ausgezeichnete Sperrverzögerung
  • Niedrige Gate-Ladung
  • Niedrige intrinsische Kapazität
  • Integrierter ESD- und Gate-Schutz
  • Betriebs- und Lagertemperatur: -55 °C bis +175 °C (TJ, TSTG)
  • D2PAK-3L, TO-220-3L und TO-247-3L als Gehäuseoptionen
  • AEC-Q101-qualifizierte Optionen erhältlich

Applikationen

  • EV-Ladegeräte
  • PV-Wechselrichter
  • Schaltnetzteile
  • Blindleistungskompensationsmodule
  • Motorantriebe
  • Induktionserwärmung

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