Transistor aus einer Siliziumschicht

5. Februar 2015, 06:40 Uhr
Transistor aus einer Siliziumschicht
Transistor aus einer Siliziumschicht

Forschern an der Cockrell School of Engineering (Austin, University of Texas) gelang die Herstellung des ersten Transistors aus Silicen, dem dünnst möglichen Material aus Silizium. Mit diesem Werkstoff lassen sich Halbleiter herstellen, die damit aufgebaute Chips deutlich schneller, kleiner und energiesparender machen.

Das aus einer einzigen Atomschicht bestehende Silicen hat zwar ganz besondere elektrische Eigenschaften, ist aber technisch schwierig zu beherrschen. Deji Akinwande und Li Tao lösten die Herausforderungen mit ihrem Team und konnten tatsächlich Transistoren damit bauen. Ihre Forschungen veröffentlichten sie kürzlich in der Fachzeitschrift Nature Nanotechnology.

In Kooperation mit Alessandro Molle vom Institute for Microelectronics and Microsystems (Agrate Brianza, Italien) wurde ein neues Verfahren zur Herstellung von Silicen unter Luftabschluss entwickelt. Zuerst wird Silizium auf einen Silberblock im Vakuum aufgedampft. Auf diese Weise wurde eine Silicen-Schicht auf einem dünnen Silber-Layer generiert, der mit einer 1 nm dicken Lage aus Aluminium abgedeckt wurde. Aufgrund dieser Schutzschichten konnte die Silicen-Schicht von der Basis abgezogen und mit der Silberseite auf ein oxidiertes Silizium-Substrat aufgebracht werden. Außerdem konnten sie Silber dann so beseitigen, dass zwei Silberinseln übrig blieben, zwischen denen die Silicen-Schicht war.

Bild: University of Texas at Austin

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