Silizium-Nanofotonik: Licht + Elektronik

10. Dezember 2013, 14:36 Uhr
Silizium-Nanofotonik: Licht + Elektronik
Silizium-Nanofotonik: Licht + Elektronik
IBM hat eine neue optoelektronische Technik entwickelt, bei der optische und elektronische Einheiten gemeinsam in der Standard-Fertigungs-Technik mit 90 nm Strukturbreite gefertigt werden können. Bei der sogenannten Silizium-Nanofotonik werden Modulatoren, Fotodetektoren aus Germanium und ultrakompakte WDM (Wavelength Division Multiplexer) mit schnellen analogen und digitalen CMOS-Schaltungen kombiniert. Laut IBM sind damit die technologischen Grundlagen für zukünftigen sehr hohen Datendurchsatz geschaffen worden.
 
Silizium-Nanofotonik wird durch das Hinzufügen weiterer Prozessmodule zur etablierten 90-nm-CMOS-Produktionsstraße erreicht. Auf diese Weise entfällt der Schritt, unterschiedlich gefertigte optische und elektrische Teile in einem aufwändigen Halbleiterprozess zu vereinen. Mit der neuen Technologie ist IBM dazu in der Lage, Transceiver zu fertigen, die eine Datenübertragungsrate von bis zu 25 Gb/s erreichen. Außerdem können durch die integrierten WDM-Module parallele Datenströme zur Übertragung mit einer Glasfaser kombiniert werden.
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