Silizium-Karbid-MOSFET mit 900 V und 10 mΩ von Wolfspeed

16. Januar 2017, 17:58 Uhr
Silizium-Karbid-MOSFET mit 900 V und 10 mΩ von Wolfspeed
Silizium-Karbid-MOSFET mit 900 V und 10 mΩ von Wolfspeed
Der Hersteller Wolfspeed hat einen neuen MOSFET auf Silizium-Karbid-Basis in Die-Form vorgestellt, der mit beeindruckenden Leistungsdaten aufwarten kann: 900 V bei 10 mΩ und 196 A sind beeindruckend. Die Dies eignen sich vor allem für den Bereich Automotive bzw. für Leistungsmodule für Elektroautos und können hier die Effizienz steigern.

In einem Forschungsprojekt mit Ford wurden vier solcher Dies für ein Leistungsmodul kombiniert, das für 400 A ausgelegt ist und mit einem On-Widerstand von lediglich 2,5 mΩ aufwarten kann. Bei Wolfspeed selbst hat man mit diesen Chips schon Module für 800 A mit 1,25 mΩ gebaut. Die MOSFETs basieren auf der aktuellen C3M-SiC-Technologie von Wolfspeed. Anders als reine Silizium-MOSFETS ist die „parasitäre“ bzw. intrinsische Diode besonders schnell, was eine Beschaltung mit externen antiparallelen Dioden erübrigt und so den Aufbau von Leistungsmodulen vereinfacht. Insgesamt lassen sich mit diesem MOSFET-Typ die Schaltverluste von Umrichtern etc. reduzieren.

Zurzeit ist der MOSFET nur in Die-Form unter der Bezeichnung C3M0010090K von SemiDice erhältlich. In den kommenden Wochen wird auch eine Version im 4L-TO247-Gehäuse erscheinen. Neben der Sperrspannung von 900 V, dem Rds(on) von 10 mΩ und dem Maximalstrom von 196 A sind technische Daten wie die Revers-Recovery-Time von 32 ns, die Gate-Ladung von 68 nC und die Qrr von 1,7 µC relevant.
 
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