ReRAM erreicht Tempo von DRAM

26. Juni 2017, 15:40 Uhr
Aufbau einer 4DS-ReRAM-Zelle. Bild: 4DS Memory
Aufbau einer 4DS-ReRAM-Zelle. Bild: 4DS Memory
Laut dem australischen Halbleiterhersteller 4DS Memory erreicht seine ReRAM-Speicher-Technologie durch strukturelle Änderungen jetzt Geschwindigkeiten, die durchaus an DRAM heranreichen. Damit lassen sich prinzipiell nichtflüchtige Massenspeicher fertigen, die extreme Datendurchsatzraten aufweisen. Der Fortschritt beruht vor allem auf der Reduktion der dieser Technik inhärenten hohen Fehlerrate.

Diese Fehlerraten beruhen auf großen Fluktuationen der Speicherzellen. Zur Steigerung der Zuverlässigkeit werden üblicherweise Fehlerkorrekturtechniken eingesetzt, die allerdings Zeit kosten und deshalb sowohl Zugriffszeiten als auch die Ausleseraten beeinträchtigen. Da die neuen sogenannten Interface Switching ReRAMs von 4DS keine solch großen Fluktuationen aufweisen, reichen minimale Eingriffe zur Fehlerkorrektur aus und die Geschwindigkeiten steigern sich so drastisch. In den letzten Jahren konnte die Firma die Strukturgrößen auf 40 nm verkleinern und die Stabilität deutlich erhöhen.

Ziel bei der ReRAM–Technik ist es für alle Hersteller, die Eigenschaften von gängigem Flash-Speicher zu übertreffen. Schon seit gut zehn Jahren wird davon gesprochen, dass ReRAM einst Flash ablösen könnte. Ein Problem für den breiten Einsatz allerdings ist, dass Flash so preiswert geworden ist, womit ReRAM noch nicht konkurrieren kann. Dadurch dass nun immerhin die Tempoziele erreicht werden, könnte sich nun eine Nische zwischen Flash und DRAM auftun. Dennoch ist das Rennen gegen die Konkurrenz einer noch neueren Speichertechnik wie 3D-Xpoint noch offen.
 
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