NRAMs von Nantero – die Speicherrevolution?

9. Juni 2015, 21:53 Uhr
NRAMs von Nantero – die Speicherrevolution?
NRAMs von Nantero – die Speicherrevolution?
Die neuen NRAMs sollen alles bieten: extrem niedrige Leistungsaufnahme, hohe Schreib/Lese-Geschwindigkeit, hohe Speicherdichte und nichtflüchtig. Nantero will mit Hilfe von CNTs all diese Eigenschaften heute schon realisiert haben.

CNTs (Carbon NanoTubes) eignen sich für Strukturgrößen von < 5 nm. Aus diesem Grund hat die Firma Nantero damit NRAMs mit Kapazitäten bis in den Tb-Bereich entwickelt. Damit ausgestattete Laptops oder PCs wären direkt nach dem Einschalten sofort verfügbar, da aufgrund der Nichtflüchtigkeit das Booten entfällt. Dabei ist Nantero kein klassischer Hersteller mit eigener Produktionstechnik, sondern ähnlich für ARM ein reiner IP-Lieferant. Für Investoren muss das Konzept einleuchtend gewesen sein, denn gerade wurde eine Finanzierungsrunde über 31,5 Millionen $ abgeschlossen.

Das Geld der Investoren soll hauptsächlich in die Entwicklung der neuen NRAMs fließen. Mit diesem Non-Volatile Random Access Memory kann sowohl normales RAM als auch Flashspeicher ersetzt werden. Zur Zeit arbeitet Nantero mit Hilfe von verschiedenen Kooperationspartnern an der Umsetzung in die Serienfertigung in CMOS-Fabs. Die Technik von Nantero wird bereits an IC-Hersteller, Foundries etc. lizensiert und mit Strukturgrößen von 180...20 nm integriert. Rund um die Kohlenstoff-Nanoröhrchen-Technik hält Nantero über 175 US-Patente. Über zweihundert weitere Patente sind schon angemeldet.
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