Toshiba lässt verlautbaren, dass eine weitere Verkleinerung der Chipstrukturen für NAND-Flashspeicher, wie er etwa für SSDs etc. gebraucht wird, nicht mehr sinnvoll sei. Statt geringen Benefit bei extremen Investitionen für Miniaturisierung wird nun auf 3D-Strukturen gesetzt.

Toshiba stoppt das Vorhaben, die Größe klassischer NAND-Speicherzellen weiter zu verkleinern. Laut Toshiba macht ein Unterschreiten der derzeitigen 15-nm-Technik keinen Sinn mehr, da dies extrem aufwendig und teuer wäre und der Nutzen recht beschränkt. Die Strategie von 3D-Strukturen in Charge-Trap-Technik würde deutlich höhere Leistungssteigerungen und eine höhere Packungsdichte versprechen. 3D-Strukturen sind zudem datenstabiler und ermöglichen schnelleres Schreiben. Die bisher angedachte Portierung von Flash auf 13-nm-Technik wird damit vorerst ad acta gelegt.

Andere Halbleiterhersteller wie etwa Samsung fertigen bereits Flash-Chips in 3D-Technik mit 24 und sogar 32 Schichten, die bereits in realen Produkten wie der SSD 850 Pro oder Evo eingesetzt werden. Auch Micron kündigte die Einstellung der Forschung an verkleinerten Strukturen an verbunden mit der Absicht, anstelle dessen auf 3D-Technik zu setzen. Außerdem ist Flash beileibe nicht alternativlos, wie erste Ergebnisse mit 3D-XPoints gezeigt haben. Letztlich ist zu konstatieren, dass der Anfang von Ende von Moore’s Law wohl tatsächlich angefangen hat.

Bild: NAND-Organisation, Cyferz