LDO-Regler mit <200 mV bei 0,42 A
17. August 2017
über
über
![CMOS-LDO-Regler der Serie TCR4DG. Bild: Toshiba.](https://cdn.xingosoftware.com/elektor/images/fetch/dpr_1,w_800,h_460,c_fit/https%3A%2F%2Fwww.elektormagazine.de%2Fassets%2Fupload%2Fimages%2F4%2F20170817221529_TCR4DG.jpeg)
Toshiba bringt mit der Serie TCR4DG neue SMD-LDO-Regler in CMOS-Technik heraus, die bei 0,42 A einen Spannungsabfall von typisch nur 193 mV bietet. Auch sonst kann das winzige Bauteil im WCSP4E-Gehäuse (0,645 x0,645 x 0,43 mm) überzeugen, denn es bietet geringes Rauschen, ist gegen Überstrom und Übertemperatur geschützt und begrenzt den Einschaltstromstoß. Darüber hinaus ist es mit vielen fein abgestuften Festspannungen erhältlich.
Technische Daten:
Die Regler sind in 30 fein abgestuften Ausgangsspannungen von 1,0 bis 4,5 V erhältlich. Weitere Informationen finden sich im Datenblatt (PDF).
Technische Daten:
- Spannungsabfall: 193 mV bei 3,3V und 420 mA
- Rauschen: 38 μVrms bei 2,5 V und 10 mA; 10 Hz bis 100 kHz
- Regelung: ±115 mV bei Sprung von 1 auf 420 mA (COUT =1 μF)
- Ripple Rejection: 70 dB bei 2,5 V- und 10 mA; f = 1 kHz )
- Überstromschutz
- Übertemperaturschutz
- Einschaltstromstoß-Begrenzung
Die Regler sind in 30 fein abgestuften Ausgangsspannungen von 1,0 bis 4,5 V erhältlich. Weitere Informationen finden sich im Datenblatt (PDF).
Mehr anzeigen
Weniger anzeigen
Diskussion (0 Kommentare)