Integrierte Power-Module für Hochspannungs-Fahrzeugwechselrichter

30. Dezember 2019, 08:00 Uhr
VE-Trac-PIMs für Fahrzeugwechselrichter. Bild: ON Semiconductor.
VE-Trac-PIMs für Fahrzeugwechselrichter. Bild: ON Semiconductor.
ON Semiconductor hat die ersten beiden Typen aus seiner neuen PIM-Familie (Power Integrated Module) VE-Trac für Hochspannungs-Wechselrichter vorgestellt. Diese PIMs ermöglichen eine bessere elektrische und thermische Leistung sowie Skalierbarkeit und Zuverlässigkeit im Automobilbereich. Sie eignen sich für Wechselrichter aller Arten elektrisch angetriebener Fahrzeuge. Angeboten werden mit VE-Trac Dual und VE-Trac Direct gleich zwei Varianten.
 
VE-Trac Dual besteht aus DSC-Halbbrückenmodulen (Dual Side Cool,) die stapel- und skalierbar sind. Der erste Typ der Reihe ist NVG800A75L4DSC. Er eignet sich für Wechselrichter von 80 bis 300 kW. Das Modul ist auf 750 V bei 800 A ausgelegt. Der IGBT im Modul ermöglicht eine schnelle Reaktion des integrierten Überstrom- und Übertemperaturschutzes.
 
Technische Daten NVG800A75L4DSC:
  • Halbbrücken-DSC
  • Niedrige Streuinduktivität
  • Tj_max = 175 °C (Dauerbetrieb)
  • Niedrige VCESAT- und Schaltverluste
  • AQG324, FS4 750-V-IGBT
  • On-Chip Strom- und Temperatursensor
 
Die VE-Trac Direct-Plattform bietet mit dem Modul NVG820S75L4SPB noch mehr Leistung sowie direkte Kühlung für eine optimale thermische Leistung. Das AQG324-qualifizierte Modul ist in einer Sechserpack-Konfiguration erhältlich.
 
Technische Daten NVG820S75L4SPB:
  • Isolierter Hochstrom-IGBT-Gate-Treiber mit galvanischer Trennung
  • DC-Zwischenkreiskondensator mit 500 µF / 500 V
  • Multi-Sourcing mit minimalen Layout-Änderungen
  • Erhältlich in Multi-Power-Klassen
  • Einfache Skalierung der Leistung.
 
Sowohl VE-Trac Dual als auch VE-Trac Direct können dauerhaft bei einer Sperrschichttemperatur von bis zu 175°C betrieben werden. Zukünftige VE-Trac-Versionen werden diskrete Leistungsbauelemente, isolierte Gate-Treiber und erweiterte Modullösungen umfassen.
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