Dreistufiger Memristor aus der Schweiz

20. Oktober 2015, 20:34 Uhr
Dreistufiger Memristor aus der Schweiz
Dreistufiger Memristor aus der Schweiz
Auch hier ist die Frage „Wer hat's erfunden?“ klar beantwortet: Eine vom Schweizerischen Nationalfonds unterstützte Forschergruppe an der ETH Zürich hat ein neues Bauteil hergestellt, das Flash-Zellen beerben könnte. Denkbar ist sogar, dass man mit solchen Memristoren eines Tages neue Computertypen entwickelt.

Das Memristor-Prinzip wurde schon 1971 als viertes Bauelement neben Widerstand, Kondensator und Spule beschrieben. Seit etwa 2000 gibt es ernsthafte Forschung. HP und Intel stehen mittlerweile in heftiger Konkurrenz um die Einführung einer kommerziell einsetzbaren Version. Memristoren brauchen nämlich dank geringerer Betriebsspannung weniger Energie und sind kleiner als herkömmliche Speicherzellen, was eine höhere Speicherdichte erwarten lässt, als dies mit konventioneller Technik denkbar wäre.

Markus Kubicek und Jennifer Rupp ist es gelungen, einen Memristor auf der Grundlage einer Perowskit-Schicht von nur 5 nm Stärke herzustellen. Sie konnten dabei nachweisen, dass dieses Bauteil drei stabile Widerstandszustände besitzt. Somit kann es nicht etwa nur ein normales Bit speichern, sondern wie moderne Multilevel-Flash-Zellen die drei Werte 0, 1 und 2 – ein sogenanntes „Trit“.
Eine potenzielle Anwendung liegt in der neuromorphen Informatik, die zu simulieren versucht, wie die Neuronen des Gehirns Informationen verarbeiten. Die Eigenschaften eines Memristors hängen von der Vorgeschichte ab. Man kann damit Neuronen nachahmen, welche die Information erst dann übertragen, wenn eine bestimmte Aktivierungsschwelle erreicht ist.
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