Automotive Power-MOSFETs

30. Mai 2017, 14:15 Uhr
Automotive Power-MOSFETs (Foto: STMicroelectronics)
Automotive Power-MOSFETs (Foto: STMicroelectronics)
STMicroelectronics stellt zwei neue MOSFETs in fortschrittlichen PowerFLAT-DSC-Gehäusen (Dual Side Cooling) vor. Die Bauteile sind nur 5 x 6 mm² groß, so dass in ECUs (Electronic Control Units) eine größere Leistungsdichte ermöglicht wird.

Der STLD200N4F6AG und der STLD125N4F6AG sind 40-V-MOSFETs, die für automotive Motorsteuerungsanwendungen entworfen wurden. Das nur 0,8 mm dicke PowerFLAT-Gehäuse weist denselben Footprint und die gleiche thermisch optimierte Unterseite wie das Standardgehäuse auf, besitzt jedoch an der Oberseite eine offenliegende Source-Elektrode, was eine noch bessere Wärmeableitung erlaubt. So ist ein deutlich höherer maximaler Strom im Vergleich zum Standard-Typ möglich.

Beide MOSFETs eignen sich für einen maximalen Drainstrom von 120 A. Der On-Widerstand beträgt maximal 1,5 mΩ beziehungsweise 3,0 mΩ. Dank der geringen Gateladung (172 nC respektive 91 nC) und Gatekapazität können die Transistoren auch bei hohen Frequenzen effizient schalten. Sie wurden als erste Mitglieder einer neuen Familie auf Grundlage der STripFET-F6-Trench-Gatestruktur konstruiert. Sie wurden entwickelt, um den extrem rauen Umweltbedingungen und den hohen Temperaturen bis zu 175 °C unter der Motorhaube standzuhalten.
 
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