Ultraschnelle Schaltungen durch lichtinduzierte Tunnelströme

10. April 2014, 06:00 Uhr
Ultraschnelle Schaltungen durch lichtinduzierte Tunnelströme
Ultraschnelle Schaltungen durch lichtinduzierte Tunnelströme

Forschern der Faculty of Science des Department of Chemistry der National University in Singapur gelang in Kooperation mit der Agency for Science, Technology and Research des Institute of High Performance Computing und des Institute of Materials Research and Engineering die Entwicklung und Herstellung von elektronischen Schaltungen, die mit Frequenzen von mehreren hundert Terahertz betrieben werden können. Dies ist immerhin mehr als 10.000 Mal schneller als die aktuell schnellsten kommerziellen Mikroprozessoren. Das dieser Durchbruch ein enormes Potential hat und sowohl Hochgeschwindigkeits-Elektronik als auch Optoelektronik im Nano-Maßstab und nonlineare Optik revolutionieren könnte, ergibt sich von selbst.

Die neue Erfindung basiert auf einem neuartigen physikalischen Prozess namens „Quantum Plasmonic Tunnelling“. Durch Veränderung der Moleküle einer molekularen elektronischen Schaltung kann die Arbeitsfrequenz in den Bereich von >100 THz verschoben werden. Mit diesen Schaltungen ließen sich prinzipiell ultraschnelle Computer oder Detektoren für einzelne Moleküle bauen. Die Technik ermöglicht einen neuen Zugang zur Nano-Elektronik. Das Projekt wurde durch die National Research Foundation unterstützt und die Ergebnisse kürzlich in der Zeitschrift Science veröffentlicht.

Bild: Tan Shu Fen, National University of Singapore

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