Hochtemperatur-SiC-MOSFETs von ST

20. März 2014, 10:03 Uhr
Hochtemperatur-SiC-MOSFETs von ST
Hochtemperatur-SiC-MOSFETs von ST

STMicroelectronics hat mit dem SCT30N120 die baldige Produktion des ersten Typs aus ihrer Familie an Siliziumkarbid-Power-MOSFETS angekündigt, die für hohe Spannungen und hohe Temperaturen bis hin zu 200 °C geeignet sind.
RDS(ON) beträgt bei 25 °C nur 80 mΩ typisch. Die Spannungsfestigkeit liegt bei 1.200 V und der maximale Strom 40 A. Hinzu kommen niedrige Ausschaltverluste und geringe Gate-Kapazität, was gerade für höhere Schaltfrequenzen wichtig ist. Der Transistor verfügt über eine besonders schnelle und robuste intrinsische Diode, die in den meisten Fällen eine zusätzliche Freilaufdiode überflüssig macht und so den Platzbedarf und die Kosten reduziert.

Die neuen Transistortypen eignen sich für Solar-Inverter und elektrische Antriebe. In Solar-Invertern ersetzen SiC-MOSFETs IGBTs und ermöglichen so eine höhere Betriebsfrequenz, was der Miniaturisierung der Leistungselektronik Vorschub leistet. Gerade bei der Elektromobilität sind damit Effizienzgewinne und kleinere Baugrößen möglich. Hinzu kommt die mögliche höhere Betriebstemperatur, was die Kühlung der Leistungselektronik vereinfacht.
Vom neuen SiC-Power-MOSFET SCT30N120 gibt es schon Samples und die Massenproduktion wird im Juni 2014 angefahren. Der Transistor ist im proprietären HiP247-Gehäuse erhältlich und wird etwa 35 Dollar bei Tausenderstückzahlen kosten.

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