50-V-GaN-HEMT-Transistoren für UHF von Wolfspeed
13. Februar 2018
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![50-V-UHF-Transistoren. Bild: Wolfspeed.](https://cdn.xingosoftware.com/elektor/images/fetch/dpr_1,w_800,h_460,c_fit/https%3A%2F%2Fwww.elektormagazine.de%2Fassets%2Fupload%2Fimages%2F4%2F20180213132142_CGHV40180.png)
Die neuen Transistoren von Wolfspeed wurden speziell für den wachsenden UHF-Radarmarkt entwickelt und sind für Geräte in den Feldern Verteidigung, öffentliche Sicherheit und mobile Landfunkanwendungen gedacht. Durch die Ga-Technik (Galliumnitrid) verbessern sich die elektrischen Eigenschaften.
Die neuen UHF-GaN-Transistoren bieten eine höhere Leistungsdichte und Ausgangsleistung im Vergleich mit Si-LDMOS-Transistoren, so dass Radaranwendungen von einer größeren Reichweite bei gleichem Design profitieren können. Der neue Transistortyp CGHV40180 ist in Flansch- und Pill-Gehäusen erhältlich und optimiert die Leistung von Radar-Leistungsverstärkern sowie militärischen Kommunikationsanwendungen im Bereich von 20 bis 1.000 MHz.
Typische Anwendungen betreffen UHF-Funkgeräte aller Art. Mit einer typischen Ausgangsleistung von 250 W liefert der neue Transistor bis zu 67 % mehr Dauerstrichleistung als herkömmliche Transistoren auf Silizium-Basis. Dies sorgt für deutlich mehr Signalreichweite sowie für größere Erkennungs- und Unterscheidungsfähigkeiten, die für die Verteidigung und öffentliche Sicherheit von entscheidender Bedeutung sind.
Der Typ CGHV40180 verfügt über die branchenweit höchste Ausgangsleistung in seiner Klasse mit bis zu 270 W typischer CW-Ausgangsleistung bei 0,8 bis 1 GHz. Darüber hinaus bietet der Transistor einen geringen Stromverbrauch bei 75 % Drain-Effizienz. GaN-HEMTs bieten hohen Wirkungsgrad und Verstärkung sowie eine große Bandbreite, was den Typ CGHV40180 für lineare und Kompressions-Verstärkerschaltungen geeignet macht.
Die neuen UHF-GaN-Transistoren bieten eine höhere Leistungsdichte und Ausgangsleistung im Vergleich mit Si-LDMOS-Transistoren, so dass Radaranwendungen von einer größeren Reichweite bei gleichem Design profitieren können. Der neue Transistortyp CGHV40180 ist in Flansch- und Pill-Gehäusen erhältlich und optimiert die Leistung von Radar-Leistungsverstärkern sowie militärischen Kommunikationsanwendungen im Bereich von 20 bis 1.000 MHz.
Typische Anwendungen betreffen UHF-Funkgeräte aller Art. Mit einer typischen Ausgangsleistung von 250 W liefert der neue Transistor bis zu 67 % mehr Dauerstrichleistung als herkömmliche Transistoren auf Silizium-Basis. Dies sorgt für deutlich mehr Signalreichweite sowie für größere Erkennungs- und Unterscheidungsfähigkeiten, die für die Verteidigung und öffentliche Sicherheit von entscheidender Bedeutung sind.
Der Typ CGHV40180 verfügt über die branchenweit höchste Ausgangsleistung in seiner Klasse mit bis zu 270 W typischer CW-Ausgangsleistung bei 0,8 bis 1 GHz. Darüber hinaus bietet der Transistor einen geringen Stromverbrauch bei 75 % Drain-Effizienz. GaN-HEMTs bieten hohen Wirkungsgrad und Verstärkung sowie eine große Bandbreite, was den Typ CGHV40180 für lineare und Kompressions-Verstärkerschaltungen geeignet macht.
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