TiN-Masken für 10 nm

22. Mai 2015, 07:51 Uhr
TiN-Masken für 10 nm
TiN-Masken für 10 nm
Applied Materials hat mit dem Applied Endura Cirrus HTX PVD System einen Durchbruch bei Kupfer-Interconnects bei einer Strukturbreite von 10 nm erreicht. Für weitere Fortschritte bei kleineren Strukturen in der Chip-Fertigung sind auch Innovationen bei der Hardmask für die Interconnects erforderlich. Mit der Einführung der neuen Technik ist es möglich, die für die Erstellung von Kupfer-Interconnects üblicherweise eingesetzte TiN-Hardmask (Titannitrid) für die nächste Stufe von Moore’s Law passend zu verkleinern.

Die interne „Kupferverdrahtung“ komplexer moderner Chips kann auf einer Fläche von etwa 10 x 10 mm² durchaus eine kombinierte Länge von 20.000 m erreichen. Dabei laufen diese Verbindungen über zehn Ebenen durch bis zu 10 Milliarden Durchkontaktierungen oder vertikale Leitungen zwischen den Layern. Aus diesen Daten ergibt sich von selbst, dass die Qualität der Metall-Maske entscheidend ist, um die Integrität der Verbindungen in relativ weichen ULK-Dielektrika zu gewährleisten. Mit der Skalierung auf kleinere Strukturen besteht nämlich die Gefahr, dass der Druck konventioneller TiN-Masken dazu führt, dass die feinen Verbindungen in ULK-Schichten deformieren oder gar zerstören kann. Mit der einstellbaren Cirrus HTX TiN Hardmask wird auch hier eine besonders hohe Präzision erreicht.

Bild: Applied Endura® Cirrus HTX PVD System
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