SiC-Power-FETs mit extrem niedrigen RDS(on)
16. Dezember 2019
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![SiC-FETs der UF3C/SC-Reihe. Bild: UnitedSiC.](https://cdn.xingosoftware.com/elektor/images/fetch/dpr_1,w_800,h_460,c_fit/https%3A%2F%2Fwww.elektormagazine.de%2Fassets%2Fupload%2Fimages%2F4%2F20191216015507_UF3CSC-SiC-FETs.jpg)
Mit einem RDS(on) von nur 7 mΩ sind die neuen SiC-FETs von UnitedSiC für hohe Leistungen wie etwa im Automotive-Bereich bei Motorsteuerungen oder bei DC/DC-Wandlern und Ladegeräten für Fahrzeuge ausgelegt.
Die SiC FET-Serie UF3C/SC bietet bei einer Nennspannung von 650 V einem RDS(on) von <7 mΩ. Weiter gibt es Ausführungen mit einem RDS(on) von 9 und 16 mΩ bei einer Nennspannung von 1,2 kV. Alle FETs sind im TO247-Gehäuse erhältlich. Die wichtigsten Aspekte eines Power-FETs sind der On-Widerstand, die Schaltverluste und last not least der Preis.
Maximalspannung 650 V
Maximalstrom 120 A
RDS(on) 6,7 mΩ
UF3SC120009K4S
Maximalspannung 1.200 V
Maximalstrom 120A
RDS(on) 8,6 mΩ
UF3SC120016K3S (3 Pins)
UF3SC120016K4S (4 Pins)
Maximalspannung 1.200 V
Maximalstrom 77 A
RDS(on) 16mΩ
Für stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen wurde die Montage der Chips in die TO247-Gehäuse aller vier Typen durch Silbersintern realisiert.
Die SiC FET-Serie UF3C/SC bietet bei einer Nennspannung von 650 V einem RDS(on) von <7 mΩ. Weiter gibt es Ausführungen mit einem RDS(on) von 9 und 16 mΩ bei einer Nennspannung von 1,2 kV. Alle FETs sind im TO247-Gehäuse erhältlich. Die wichtigsten Aspekte eines Power-FETs sind der On-Widerstand, die Schaltverluste und last not least der Preis.
SiC-FET-Aufbau
Die neuen SiC-FETs ergeben sich durch Kombination eines SiC-JFETs der dritten Generation mit einem kaskadenoptimierten Silizium-MOSFET. Diese Kombination verbessert das Schaltverhalten und steigert so die Effizienz damit realisierter Elektronik. Außerdem bleiben die neuen SiC-FETs kompatibel zu den typischen Gate-Spannungen von Si-IGBTs, Si-MOSFETs und SiC-MOSFETs.Eigenschaften
UF3SC065007K4SMaximalspannung 650 V
Maximalstrom 120 A
RDS(on) 6,7 mΩ
UF3SC120009K4S
Maximalspannung 1.200 V
Maximalstrom 120A
RDS(on) 8,6 mΩ
UF3SC120016K3S (3 Pins)
UF3SC120016K4S (4 Pins)
Maximalspannung 1.200 V
Maximalstrom 77 A
RDS(on) 16mΩ
Für stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen wurde die Montage der Chips in die TO247-Gehäuse aller vier Typen durch Silbersintern realisiert.
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