SiC-Power-FETs mit extrem niedrigen RDS(on)

16. Dezember 2019, 07:57 Uhr
SiC-FETs der UF3C/SC-Reihe. Bild: UnitedSiC.
SiC-FETs der UF3C/SC-Reihe. Bild: UnitedSiC.
Mit einem RDS(on) von nur 7 mΩ sind die neuen SiC-FETs von UnitedSiC für hohe Leistungen wie etwa im Automotive-Bereich bei Motorsteuerungen oder bei DC/DC-Wandlern und Ladegeräten für Fahrzeuge ausgelegt.

Die SiC FET-Serie UF3C/SC bietet bei einer Nennspannung von 650 V einem RDS(on) von <7 mΩ. Weiter gibt es Ausführungen mit einem RDS(on) von 9 und 16 mΩ bei einer Nennspannung von 1,2 kV. Alle FETs sind im TO247-Gehäuse erhältlich. Die wichtigsten Aspekte eines Power-FETs sind der On-Widerstand, die Schaltverluste und last not least der Preis.

SiC-FET-Aufbau

Die neuen SiC-FETs ergeben sich durch Kombination eines SiC-JFETs der dritten Generation mit einem kaskadenoptimierten Silizium-MOSFET. Diese Kombination verbessert das Schaltverhalten und steigert so die Effizienz damit realisierter Elektronik. Außerdem bleiben die neuen SiC-FETs kompatibel zu den typischen Gate-Spannungen von Si-IGBTs, Si-MOSFETs und SiC-MOSFETs.

Eigenschaften

UF3SC065007K4S
Maximalspannung 650 V
Maximalstrom 120 A
RDS(on) 6,7 mΩ

UF3SC120009K4S
Maximalspannung 1.200 V
Maximalstrom 120A
RDS(on) 8,6 mΩ

UF3SC120016K3S (3 Pins)
UF3SC120016K4S (4 Pins)
Maximalspannung 1.200 V
Maximalstrom 77 A
RDS(on) 16mΩ

Für stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen wurde die Montage der Chips in die TO247-Gehäuse aller vier Typen durch Silbersintern realisiert.
 
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