Neuartiger Speichertyp

10. Dezember 2013, 14:35 Uhr
Neuartiger Speichertyp
Neuartiger Speichertyp

Forscher der Purdue University (USA) haben einen neuartigen Typ von Computer-Speicher entwickelt, der potentiell schneller als gängige Speichertechnologien ist und dennoch weniger Energie verbraucht als Flash-Speicher. Dieser Speicher kombiniert Silizium-Nanodrähte mit einem ferroelektrischen Polymer, dessen Polarität durch Anlegen eines elektrischen Felds geändert werden kann und so auslesbare binäre Information speichert.
 
Nach Auskunft der Forscher steckt diese neue, FeTRAM (Ferroelectric Transistor Random Access Memory) genannte Technologie zwar noch in den Kinderschuhen, zeigt aber schon viel Potential. FeTRAMs sind nichtflüchtig, womit die Daten auch ohne Stromversorgung erhalten bleiben. Nach Berechnungen werden FeTRAM-Zellen nur etwa 1% der Energie von Flash-Speicher benötigen. Die aktuellen experimentellen Ausführungen sind davon allerdings noch weit entfernt.
 
Momentan wird der Schwerpunkt auf die Reduktion des Stromverbrauchs gelegt. Nach Einschätzung der Forscher wird diese Technik sogar schneller als SRAM sein. Zudem ist FeTRAM mit der CMOS-Fertigungstechnik kompatibel.
FeTRAM ähnelt grundsätzlich FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory), erlaubt aber im Gegensatz zu FeRAM das nichtdestruktive Auslesen des Speicherinhalts, da die Information in einem ferroelektrischen Transistor und nicht in einem Kondensator gespeichert wird. Genauere Angaben finden sich in einem kürzlich in der Zeitschrift Nano Letters veröffentlichten Artikel.
 
Bild: Birck Nanotechnology Center, Purdue University

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