MOSFETs >1 kV brauchen ein breiteres TO-220-Gehäuse

15. August 2016, 15:26 Uhr
TO-220FP wide creepage von STMicrocelectronics
TO-220FP wide creepage von STMicrocelectronics
Die Evolution der Elektronik macht auch vor so profanen Bauelementen wie MOSFETs nicht Halt und so wird immer weiter an den technischen Daten gefeilt. Unter den neuen Leistungs-MOSFETs mehrerer Hersteller gibt es nun Baureihen mit besonders hohen maximalen Drain-Source-Spannungen von deutlich über 1 kV und mehr. Damit das gut geht, muss ein breiteres Gehäuse her.

Bei 1500 V und mehr wird es eng mit dem klassischen Pin-Abstand von 1/10" = 2,54 mm. MOSFETs im preiswerten, normalen TO220AB-Gehöuse sind eigentlich nur bis 1 kV denkbar, da sonst bei entsprechenden Umweltbedingungen Spannungsüberschläge drohen. Darüber braucht man also ein Gehäuse, dass den üblicherweise drei Pins mehr Abstand gönnt und daher deutlich breiter ist. Sowohl STMicroelectronics als auch Infineon nutzen hierfür eine spezielle TO-220-Variante, die sich voll ausgeschrieben „TO-220 FullPAK wide creepage“ nennt. Dieses Gehäuse hat den Vorteil eines Pin-Abstands von immerhin 4,25 mm, was ungefähr 1/6" entspricht. Wie man auf so krumme Werte kommt, wäre auch eine Geschichte für sich...
 

 
Vergleich von „normalem“ TO-220FP und breiterem TO-220FP wide creepage. Bild: Infineon

 
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