MOSFET mit 480 µΩ Kanalwiderstand

4. Dezember 2017, 13:37 Uhr
Power-MOSFET SiRA20DP. Bild: Vishay.
Power-MOSFET SiRA20DP. Bild: Vishay.
Der Power-MOSFET SiRA20DP von Vishay bietet bei einer maximalen DS-Spannung von 25 V und der relativ kleinen Gate-Ladung von nur 61 nC einen typischen Kanalwiderstand von weniger als 0,5 mΩ bei einer Gate-Spannung von 10 V.

Die weiteren technischen Daten sind: Spitzenstrom von immerhin 500 A für 100 µs und ein Dauerstrom von 100 A. Die parasitäre Diode verträgt Spitzenströme von 300 A und einen Dauerstrom von ebenfalls nahezu 100 A. Der maximale Kanalwiderstand bei einer Gate-Spannung 10 V beträgt 580 µΩ. Bei einer Steuerspannung von nur 4,5 V am Gate erhöht sich der Kanalwiderstand von 650 µΩ typisch und 820 µΩ maximal.

Der MOSFET wird in einem nur etwa 5x6 mm kleinem achtpoligen SO-PowerPAK-Gehäuse mit rückseitigem Thermo-Pad geliefert. Typische Anwendungen sind das Steuern von Niedervoltmotoren mittlerer Leistung oder etwa der Einsatz bei hocheffizienten Schaltreglern wie etwa in Batterieversorgungen oder Spannungswandlern für die Versorgung der Niedervoltschienen moderner CPUs.
 
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