MOSFET für 1000 V

12. Oktober 2016, 10:31 Uhr
MOSFET für 1000 V
MOSFET für 1000 V
Die US-amerikanische Firma Wolfspeed, die auf Siliziumcarbid-Leistungshalbleiter (SiC) spezialisiert ist, hat einen neuen 1000-V-MOSFET vorgestellt. Dieser MOSFET ist optimiert für Anwendungen in (E-Auto-) Schnellladern und industriellen Spannungsversorgungen. Durch den Einsatz dieses MOSFETs kann die Zahl der nötigen Bauteile um 30% verringert und die Leistungsdichte um das Dreifache gesteigert werden. Die Ausgangsleistung steigt gegenüber herkömmlichen MOSFETs um 33%.
 
Entwicklungsingenieure können dank der maximalen Drain-Source-Spannung von 1000 V von der üblichen drei- zu einer einfacheren zweistufigen Topologie übergehen und so die Anzahl der Bauteile deutlich reduzieren. Die Steigerung der Leistung auf einer kleineren Platinenfläche wird möglich durch eine extrem niedrige Ausgangskapazität von nur 60 pF, wodurch die Schaltverluste stark vermindert werden. Auch der erforderliche Kühlkörper kann deutlich kleiner ausfallen. Darüber hinaus kann der neue MOSFET auf höheren Schaltfrequenzen arbeiten, so dass Spulen und Kondensatoren verkleinert werden können.

Wolfspeed bietet für den neuen MOSFET eine Referenzschaltung in Form eines 20-kW-Vollbrücken-LLC-Konverters an, der unter der Bestellnummer CRD-20DD09P-2 erhältlich ist. Mit diesem vollständig aufgebauten Hardware-Paket können Entwickler den neuen 1000-V-SiC-MOSFET schnell erforschen und seine höhere Schaltgeschwindigkeit und die verbesserte Leistungseigenschaften ausprobieren.
 
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