Microchip erweitert sein Angebot an Siliziumkarbid- (SiC-)Leistungselektronik, um effizientere, kleinere und zuverlässigere Systeme zu ermöglichen

16. März 2020, 10:25 Uhr
Microchip erweitert sein Angebot an Siliziumkarbid- (SiC-)Leistungselektronik, um effizientere, kleinere und  zuverlässigere Systeme zu ermöglichen
Microchip erweitert sein Angebot an Siliziumkarbid- (SiC-)Leistungselektronik, um effizientere, kleinere und zuverlässigere Systeme zu ermöglichen
Die Nachfrage nach Designs auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) wächst rasant, um den Wirkungsgrad zu maximieren sowie Größe und Gewicht zu reduzieren. Damit lassen sich innovative Stromversorgungslösungen entwickeln. SiC findet sich z.B. in Elektrofahrzeugen und Ladestationen, in intelligenten Stromnetzen und in Stromversorgungssystemen für die Industrie und Flugzeuge. Microchip Technology (Nasdaq: MCHP) erweitert daher sein Angebot um kleinere, leichtere und effizientere SiC-Leistungs-elektronikmodule. Zusammen mit seinem breiten Angebot an Mikrocontrollern (MCUs) und Analogbausteinen erfüllt Microchip damit die Anforderungen hochleistungsfähiger Steuerungen, Antriebe und Leistungsstufen und unterstützt Kunden mit umfassenden Systemlösungen.
 
Das SiC-Angebot von Microchip umfasst kommerzielle Leistungsmodule auf Basis der Schottky Barrier Diode (SBD) in den Varianten 700, 1200 und 1700 V. Die neuen Module sind in verschiedenen Topologien erhältlich, darunter Dual-Diode, Vollbrücke, Phasenstrang, duale gemeinsame Kathode und 3-Phasen-Brücke, und bieten verschiedene Strom- und Gehäuse-Optionen. Der Einbau von SiC-SBD-Modulen vereinfacht das Design durch mehrere SiC-Dioden-ICs mit der Option, Substrat- und Baseplate-Material in einem einzigen Modul zu vereinen und anzupassen. Dies maximiert die Schalteffizienz und reduziert die Wärmeentwicklung sowie den Platzbedarf.
 
„Die Einführung und Erweiterung der SiC-Technologie ist entscheidend für heutige Neuerungen“, so Leon Gross, Vice President der Discrete Product Group Business Unit bei Microchip. „Wir stehen steht dabei an der Spitze und arbeiten mit Kunden in allen Branchen und Regionen zusammen. Unser Schwerpunkt liegt weiterhin darin, zuverlässige und innovative Lösungen bereitzustellen. Von der Definition bis zur Produktfreigabe bietet unsere SiC-Technologie optimale Zuverlässigkeit und Robustheit und hilft Entwicklern von Stromversorgungssystemen, eine lange Lebensdauer ohne Leistungseinbußen zu erzielen.“
 
Das flexible Angebot von SiC-SBD-Modulen mit 700, 1200 und 1700 V basiert auf Microchips neuester Generation von SiC-ICs, die zuverlässige, robuste und dauerhaft stabile Anwendungen ermöglichen. Die hohe Lawinenleistungsfähigkeit der Bausteine verringert den Bedarf an Dämpfungs-/Snubberschaltkreisen, und die Stabilität der Body-Diode sorgt dafür, dass die interne Body-Diode ohne langfristige Beeinträchtigung optimal arbeitet. Tests durch Microchip und Drittanbieter haben hinsichtlich der Zuverlässigkeit eine überlegene Leistungsfähigkeit der Microchip-SiC-Bausteine im Vergleich zu anderen SiC-ICs bewiesen. 
 
Entwicklungstools
Als Tools stehen eine 30kW 3-Phasen-Vienna-Leistungsfaktorkorrektur (PFC), diskrete SiC- und SP3-/SP6LI-Modul-Antriebsreferenzdesigns/-boards zur Verfügung, mit denen sich die Entwicklungsdauer verkürzt. 
 
Verfügbarkeit
Microchips SiC-SBD-Leistungsmodule für 700, 1200 und 1700 V sind ab sofort erhältlich und können bestellt werden. Das komplette SiC-Angebot wird durch SiC-SPICE-Modelle, Referenzdesigns für SiC-Treiberboards und ein PFC-Vienna-Referenzdesign unterstützt. Microchips SiC-Produkte sind in Serienstückzahlen erhältlich, zusammen mit entsprechendem Support. Für die SiC-MOSFETs und SiC-Dioden stehen verschiedene Chip- und Gehäuse-Optionen zur Verfügung.
 
Weitere Informationen, einschließlich der Preise, erhalten Sie über Microchips Vertrieb vor Ort, einen autorisierten weltweiten Distributor oder auf der SiC-Produktseite von Microchip. Um die hier genannten Produkte zu erwerben, wenden Sie sich an einen autorisierten Microchip-Distributor.
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