Endlich werden ReRAMs mit ihren besonderen Eigenschaften reale Hardware: Fujitsu Semiconductor hat den Start der Massenproduktion des 4-Mb-ReRAM-Chips MB85AS4MT bekannt gegeben. Dieses erste ReRAM-Product wurde gemeinsam mit Panasonic Semiconductor Solutions entwickelt und hat die momentan höchste Speicherdichte eines ReRAM-Chips.

Beim MB85AS4MT handelt es sich um einen ReRAM-Chip mit SPI-Interface, das mit Spannungen von 1,65...3,6 V betrieben werden kann. Eine seiner Stärken ist der geringe Betriebsstrom von nur 0,2 mA bei der maximalen Lesegeschwindigkeit von 5 MHz, was das IC ideal für Anwendungen mit Batterieversorgung wie etwa Wearables oder Medizinprodukte wie Hörgeräte macht.

Gegenüber gängigem nichtflüchtigem Speicher wie EEPROM oder Flash bietet ReRAM geringeren Stromverbrauch und größere Haltbarkeit bzw. höhere Zyklenzahlen. Das IC ist im 8-poligen SOP-gehäuse (5,3 mm) und damit pinkompatibel zu anderen Speichern wie EEPROMs erhältlich.

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