Dual-MOSFET mit Gateschwelle von 0 V

10. Dezember 2013, 14:36 Uhr
Dual-MOSFET mit Gateschwelle von 0 V
Dual-MOSFET mit Gateschwelle von 0 V

Die Familie ALD212900A/ALD212900 beherbergt monolithische Dual-N-Kanal-MOSFETs. Die Chips sind auch im achtpoligen SOI-Gehäuse erhältlich. Das Besondere daran aber ist die Schwelle der Gate-Spannung, die hier bei erstaunlichen 0 V liegt.

Die MOSFETs überzeugen auch durch andere Eigenschaften. Ihr dynamischer Bereich von einigen Nanoampere bis hin zu einigen 10 mA entspricht einem Stromverhältnis von mehr als 1:10.000.000. Der Eingangsstrom beträgt bei einem Drain-Strom von einigen mA nur 300 pA, was einer Stromverstärkung von > 108 entspricht.
 
Die MOSFETs sind für die Verarbeitung kleiner Signale gedacht. Als Treiber in Low-Power-Schaltungen bieten sie einen Ausgangsstrom von > 50 mA. Die Gate-Schwellspannung VGS(th) wurde sehr genau auf einen Wert im Bereich 0...+10 mV eingestellt. Der typische Wert liegt bei 1 mV. Diese Eigenschaften prädestinieren sie für die Anwendung als Stromquellen oder als Eingangsstufe eines Differenzverstärkers etc. Wenn die Gate-Spannung exakt 0 V beträgt, fließt ein Drain-Strom von 20 µA bei VDS = 0,1 V. Die Ausgangsspannung einer mit diesen MOSFETS aufgebauten Drain-Schaltung liegt also fast auf dem gleichen Niveau wie die Gate-Spannung. Die MOSFETs eignen sich zur Verstärkung von Signalen auch bei sehr kleinen Versorgungsspannungen. Der Arbeitsbereich liegt bei 0,1 V bis 10 V.

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