Über den Artikel

Doppelanoden-MOSFET-Thyristor

Schneller und effizienter als herkömmliche SCRs

Doppelanoden-MOSFET-Thyristor
Thyristoren und Triacs, die als Lastschalter fungieren, zeichnen sich durch einen hohen Spannungsabfall zwischen Kathode und Anode im „offenen“ Zustand und eine nur mangelhafte Schaltleistung aus. Deshalb produzieren diese SCRs (Silicon Controlled Rectifier) hohe Verlustleistungen, was gelegentlich zu Überhitzung und schlussendlich zum Ausfall der gesamten Schaltung führt. Gleichzeitig bedeutet eine starke Erwärmung eine Verschwendung von elektrischer Energie, was angesichts des weltweiten Einsatzes in Industrie und Haushalt solcher Bauteile zu erheblichen Verlusten führt. Höchste Zeit also für einen „grünen“ Thyristor!
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Stückliste

Stückliste

LV-Doppelanoden-MOSFET-Thyristorplatine 160515-1

Widerstände:

R1,R5,R8 = 10 k, 5 %, 0,25 W, 250 V

R2 = 15 k, 5 %, 0,25 W, 250 V

R3  = 5k6, 5 %, 0,25 W, 250 V

R4, R7 = 100 Ω, 5 %, 0,25 W, 250 V

R6 = 22 k, 5 %, 0,25 W, 250 V

 

Halbleiter:

D1,D2 = 1N5242BTR, Zenerdiode, 12 V, 5 %, 0,5 W, DO-35

Th1 = P0102DA 1AA3, Thyristor, 800 mA, 400 V, TO-92

T1,T2 = SPP15N60C3XKSA1, N-Kanal-MOSFET, 600 V, 15 A, TO-220

 

Außerdem:

K1 = 2-polige Platinenanschlussklemme, Raster 0,2'', 630 V

K2 = 3-polige Platinenanschlussklemme, Raster 0,2'', 630 V

Platine 160515-1 V1.1 (Elektor-Shop)

Stückliste

HV-Doppelanoden-MOSFET-Thyristorplatine 160515-2

Widerstände:

R1 = 100 k, 5%, 0,25 W, 250 V

R2, R3 = 470 k, 5%, 1 W, 500 V

R4 = 10 k, 5%, 0,25 W, 250 V

R5 = 330 k, 5%, 1 W, 500 V

 

Halbleiter:

D1,D2 = 1N4742A, Zenerdiode, 12 V, 5%, 1 W, DO-41

D3...D9 = 1N4007, DO-41

Th1 = BT151-800R, Thyristor, 800 V, 7,5 A, Igt 15 mA max., TO-220

T1,T2 = SPP15N60C3XKSA1, N-Kanal-MOSFET, TO-220

 

Außerdem:

K2,K3 = 2-polige Platinenanschlussklemme, Raster 0,3'', 630 V

K1 = 3-polige Platinenanschlussklemme, Raster 0,3'', 630 V

Platine 160515-2 v1.1 (Elektor-Shop)

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