Häufig wird die Auswahl eines Netzteils auf der Grundlage einer einzigen Wirkungsgradangabe auf dem Datenblatt getroffen, und die Hersteller tun alles, um diese Zahl in die Höhe zu treiben, unter anderem, indem sie die Messbedingungen immer sorgfältiger definieren. Designer entwerfen immer ausgefeiltere Topologien, zum Beispiel phasenverschobene Vollbrücken (PSFBs) und LLC-Wandler. Und auf Komponentenebene kommen MOSFETs anstelle von Dioden zum Einsatz, um Verluste zu reduzieren. Sogar Silizium wird in Frage gestellt, da Materialien mit breiter Bandlücke (Wide Bandgap, WBG) wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) eine bessere Leistung versprechen, selbst bei hohen Schaltgeschwindigkeiten.