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High-Power-Speed-Z-Diode

High-Power-Speed-Z-Diode
Diese Schaltung wurde für einen schnellen Spannungsregler entworfen, der hohe Lastströme liefern sollte. Grundlage der Schaltung ist ein SIPMOS-Transistor, der hohe Ströme und hohe Verlustleistungen verkraftet. Alles, was der SIPMOS als Z-Dioden-Ersatz noch benötigt, ist nicht einmal eine Handvoll Standard-Bauteile, so dass der Preis für die Schaltung erheblich unter dem einer vergleichbaren Z-Diode liegt. Von einer externen Spannungsquelle, die etwa 2 V höher sein muss als die gewünschte geregelte Spannung, wird von der Parallelschaltung aus C1, D1 und P1 eine stabilisierte Spannung im Bereich 0.. . 6,8 V erzeugt. Diese Spannung öffnet T1, einen BS25O, der wiederum den SIPMOS T2 in den leitenden Zustand versetzt. Sinkt nun U2, schließt T1 ein wenig, so dass die Spannung am Gate von T2 ebenfalls sinkt. Der SIPMOS erhöht seinen Durchgangswiderstand, die Ausgangsspannung steigt. Die Regelgeschwindigkeit der Schaltung wird im wesentlichen von R4 bestimmt.
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